• 2SA2013-TD-E Transistor bipolaire PNP 50 V 4 A 400 MHz 3,5 W PCP monté à la surface
2SA2013-TD-E Transistor bipolaire PNP 50 V 4 A 400 MHz 3,5 W PCP monté à la surface

2SA2013-TD-E Transistor bipolaire PNP 50 V 4 A 400 MHz 3,5 W PCP monté à la surface

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: 2SA2013-TD-E: les produits de base et les produits de base

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Type de transistor: PNP Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 50V
Actuel - collecteur (IC) (maximum): 0.166666667 Actuel - coupure de collecteur (maximum): 1 μA (ICBO)
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à 300 mV. Puissance maximale: 3.5v
Fréquence - transition: 400 MHz Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 200 @ 500 mA, 2 V
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2SA2013-TD-E: les produits de base et les produits de base

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2SA2013-TD-E Transistor bipolaire PNP

Description de produit

2SA2013-TD-E Transistor bipolaire PNP 50 V 4 A 400 MHz 3,5 W PCP monté à la surface

 

Les spécifications de 2SA2013-TD-E: les produits de base et les produits de base

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Transistors bipolaires simples
Mfr un demi
Série -
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Statut du produit Actif
Type de transistor PNP
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 0.166666667
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 50 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à 300 mV.
Courant - Coupe du collecteur (maximum) 1 μA (ICBO)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 500 mA, 2 V
Puissance maximale 3.5 W
Fréquence - Transition 400 MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier TO-243AA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le PCP
Base Pro2SA2013-TD-E Bipolaire (BJT) Transistor PNP 50 V 4 A 400 MHz 3,5 W Monture de surface PCPNombre de conduit 2SA2013

 

L'application de 2SA2013-TD-E: les produits de base et les produits de base


• Les régulateurs de relais, les régulateurs de lampes, les régulateurs de moteur, les flashs

 

Caractéristiques du 2SA2013-TD-E: les produits de base et les produits de base


• Adoption des procédés FBET et MBIT
• Grande capacité de courant
• Faible tension de saturation du collecteur à l'émetteur
• Commutation à grande vitesse
• Les emballages ultra-petits facilitent la miniaturisation des produits finis
• Dissipation d'énergie élevée

 

 

Classifications environnementales et d'exportation2SA2013-TD-E: les produits de base et les produits de base

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 

2SA2013-TD-E Transistor bipolaire PNP 50 V 4 A 400 MHz 3,5 W PCP monté à la surface 0

 

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