• FESB8DTHE3 - 81 Diode 200 V 8A Monture de surface TO-263AB (D2PAK)
FESB8DTHE3 - 81 Diode 200 V 8A Monture de surface TO-263AB (D2PAK)

FESB8DTHE3 - 81 Diode 200 V 8A Monture de surface TO-263AB (D2PAK)

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le FESB8DTHE3 - 81

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 3 à 5 jours
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 1000
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Détail Infomation

Technologie: La norme Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum): 200 V
Actuel - moyenne rectifiée (E/S): 8A Tension - en avant (Vf) (maximum) @ si: 950 mV @ 8 A
la vitesse: =< rapide 500ns de récupération, > 200mA (E/S) Temps de rétablissement inverse (trr): 35 NS
Actuel - fuite inverse @ Vr: 10 μA @ 200 V Température de fonctionnement - jonction: -55°C | 150°C

Description de produit

FESB8DTHE3 - 81 Diode 200 V 8A Monture de surface TO-263AB (D2PAK)
 
Les spécifications deLe FESB8DTHE3 - 81

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Diodes
  Les produits de rectification
  Diodes simples
Mfr Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Série Automobiles, AEC-Q101
Le paquet Tape et bobine (TR)
Statut du produit Actif
Technologie La norme
Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io) 8A
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si 950 mV @ 8 A
Vitesse Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 35 ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 10 μA @ 200 V
Capacité @ Vr, F -
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Pour les appareils de transport de marchandises
Température de fonctionnement - jonction -55°C à 150°C
Numéro du produit de base Le FESB8

 
Caractéristiques duLe FESB8DTHE3 - 81

 

• Junction de puce passivée en verre
• Temps de récupération extrêmement rapide
• Faibles pertes de commutation, efficacité élevée
• Faible débit de fuite
• Capacité de surtension avant élevée
• Répond au niveau MSL 1, par J-STD-020, LF maximum de 245 °C (pour le paquet TO-263AB)
• Plongez la soudure à 260 °C, 40 s (pour les emballages TO-220AC et ITO-220AC)
• Composant conforme à la directive RoHS 2002/95/CE et aux RAEE 2002/96/CE

 

 


Applications deLe FESB8DTHE3 - 81


Pour une utilisation dans les redresseurs à haute fréquence d'aliments de commutation, les onduleurs, les diodes à roues libres, les convertisseurs CC-DC et autres applications de commutation de puissance.

 


Classifications environnementales et d'exportationLe FESB8DTHE3 - 81
 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.10.0080

 
FESB8DTHE3 - 81 Diode 200 V 8A Monture de surface TO-263AB (D2PAK) 0

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