FESB8DTHE3 - 81 Diode 200 V 8A Monture de surface TO-263AB (D2PAK)
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: | originaux |
Nom de marque: | original |
Certification: | original |
Numéro de modèle: | Le FESB8DTHE3 - 81 |
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: | 1 |
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Prix: | negotiation |
Détails d'emballage: | boîte en carton |
Délai de livraison: | 3 à 5 jours |
Conditions de paiement: | T/T |
Capacité d'approvisionnement: | 1000 |
Détail Infomation |
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Technologie: | La norme | Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum): | 200 V |
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Actuel - moyenne rectifiée (E/S): | 8A | Tension - en avant (Vf) (maximum) @ si: | 950 mV @ 8 A |
la vitesse: | =< rapide 500ns de récupération, > 200mA (E/S) | Temps de rétablissement inverse (trr): | 35 NS |
Actuel - fuite inverse @ Vr: | 10 μA @ 200 V | Température de fonctionnement - jonction: | -55°C | 150°C |
Description de produit
FESB8DTHE3 - 81 Diode 200 V 8A Monture de surface TO-263AB (D2PAK)
Les spécifications deLe FESB8DTHE3 - 81
Le type | Définition |
Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
Diodes | |
Les produits de rectification | |
Diodes simples | |
Mfr | Vishay General Semiconductor - Division des diodes |
Série | Automobiles, AEC-Q101 |
Le paquet | Tape et bobine (TR) |
Statut du produit | Actif |
Technologie | La norme |
Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. | Pour l'électricité |
Courant - Moyenne rectifiée (Io) | 8A |
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si | 950 mV @ 8 A |
Vitesse | Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35 ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10 μA @ 200 V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les appareils de transport de marchandises |
Température de fonctionnement - jonction | -55°C à 150°C |
Numéro du produit de base | Le FESB8 |
Caractéristiques duLe FESB8DTHE3 - 81
• Junction de puce passivée en verre
• Temps de récupération extrêmement rapide
• Faibles pertes de commutation, efficacité élevée
• Faible débit de fuite
• Capacité de surtension avant élevée
• Répond au niveau MSL 1, par J-STD-020, LF maximum de 245 °C (pour le paquet TO-263AB)
• Plongez la soudure à 260 °C, 40 s (pour les emballages TO-220AC et ITO-220AC)
• Composant conforme à la directive RoHS 2002/95/CE et aux RAEE 2002/96/CE
Applications deLe FESB8DTHE3 - 81
Pour une utilisation dans les redresseurs à haute fréquence d'aliments de commutation, les onduleurs, les diodes à roues libres, les convertisseurs CC-DC et autres applications de commutation de puissance.
Classifications environnementales et d'exportationLe FESB8DTHE3 - 81
Attribut | Définition |
Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
Statut REACH | REACH Non affecté |
Nom de la banque | EAR99 |
HTSUS | 8541.10.0080 |