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SIR662DP-T1-GE3 MOSFET à canal N 60 V 60 A (Tc) 6,25 W (Ta) / 104 W (Tc)
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Original |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | 3 à 5 jours |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 1000 |
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Détail Infomation |
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| Type de FET: | N-canal | Vidangez à la tension de source (Vdss): | 60 V |
|---|---|---|---|
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: | 60A (comité technique) | Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: | 2Pour les appareils à commande numérique | Identification de Vgs (Th) (maximum) @: | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: | 96 nC @ 10 V | Vgs (maximum): | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: | 4365 pF @ 30 V | Dissipation de puissance (maximum): | 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) |
| Surligner: | SIR662DP-T1-GE3,MOSFET à canal N 60 V |
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Description de produit
SIR662DP-T1-GE3 MOSFET à canal N 60 V 60 A (Tc) 6,25 W (Ta), 104 W (Tc)
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande à commande numérique.
Les spécifications deSIR662DP-T1-GE3
| Le type | Définition |
| Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Les FET simples et les MOSFET | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Le paquet | Tape et bobine (TR) |
| Statut du produit | Actif |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | MOSFET (oxyde de métal) |
| Voltage d'évacuation à la source (Vdss) | 60 V |
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Pour les appareils à commande numérique |
| Vgs(th) (maximum) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Vgs (maximum) | ± 20 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds | 4365 pF @ 30 V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C à 150°C (TJ) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les appareils électroniques |
| Emballage / boîtier | Pour les appareils électroniques |
| Numéro du produit de base | Le code SIR662 |
Caractéristiques duSIR662DP-T1-GE3
• MOSFET de puissance TrenchFET®
• 100% Rg et UIS testés
• Faible Qg pour une efficacité élevée
Applications deSIR662DP-T1-GE3
• Commutateur latéral principal
• POL
• Réducteur synchrone
• Convertisseur CC/DC
• Système de divertissement
• Industrie
• rétroéclairage LED
Classifications environnementales et d'exportationSIR662DP-T1-GE3
| Attribut | Définition |
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
| Nom de la banque | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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