• IRLML5103TRPBF Composants électroniques MOSFET P-Channel 30 V 760mA 540mW
IRLML5103TRPBF Composants électroniques MOSFET P-Channel 30 V 760mA 540mW

IRLML5103TRPBF Composants électroniques MOSFET P-Channel 30 V 760mA 540mW

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: IRLML5103TRPBF

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Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: 3 à 5 jours
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 1000
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Détail Infomation

Type de FET: P-canal Vidangez à la tension de source (Vdss): 30V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 760mA (ventres) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: 5,1 OR @ 10 V Vgs (maximum): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: 75 pF @ 25 V Dissipation de puissance (maximum): 540mW (ventres)

Description de produit

IRLML5103TRPBF Composants électroniques MOSFET P-Channel 30 V 760mA 540mW
 
Le débit de l'électricité doit être supérieur ou égal à:
 
Les spécifications deLes États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient utilisées conformément à l'article 5 du règlement (UE) no 182/2011.

 

Le type Définition
Catégorie Les FET simples et les MOSFET
Mfr Infineon Technologies
Série HEXFET®
Le paquet Tape et bobine (TR)
Statut du produit Actif
Type de FET P-canal
Technologie MOSFET (oxyde de métal)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) 30 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C Pour les appareils à commande numérique
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 600 mA, 10 V
Vgs(th) (maximum) @ Id 1V @ 250μA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V
Vgs (maximum) ± 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds 75 pF @ 25 V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) Pour les appareils à commande numérique
Température de fonctionnement -55°C à 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Micro3TM/SOT-23
Emballage / boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Numéro du produit de base Les résultats de l'enquête sont publiés dans le journal IRLML5103.

 
Caractéristiques duLes États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient utilisées conformément à l'article 5 du règlement (UE) no 182/2011.

 

* Technologie de génération V
* Ultrafaible résistance
* P-ChannelMOSFET
* SOT-23 empreinte
* Profil bas (< 1,1 mm)
* Disponible en ruban adhésif et en bobine
* Commutation rapide
* sans plomb
* Conforme à la réglementation RoHS, sans halogène

 


Des descriptions deLes États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient utilisées conformément à l'article 5 du règlement (UE) no 182/2011.


Les HEXFET de cinquième génération de l'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour atteindre une résistance à l'échange extrêmement faible par surface de silicium.combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste du dispositif pour lesquels les MOSFET HEXFET Power sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une grande variété d'applications.

 


Classifications environnementales et d'exportationLes États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient utilisées conformément à l'article 5 du règlement (UE) no 182/2011.

 
Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.21.0095

 

IRLML5103TRPBF Composants électroniques MOSFET P-Channel 30 V 760mA 540mW 0

 

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