• 8PQFN FDMS5352 Transister IC Mosfet N-Ch 60V 13.6A/49A
8PQFN FDMS5352 Transister IC Mosfet N-Ch 60V 13.6A/49A

8PQFN FDMS5352 Transister IC Mosfet N-Ch 60V 13.6A/49A

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: FDMS5352

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T, L/C
Capacité d'approvisionnement: 100 000
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Détail Infomation

Statut de produit: Actif Type de FET: N-canal
Technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Vidangez à la tension de source (Vdss): 60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 13.6A (merci), 49A (comité technique) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 6,7 mOhms à 13,6 A, 10 V Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 3V @ 250µA
Surligner:

FDMS5352 Transistor IC Mosfet

,

FDMS5352 Transister IC

,

8PQFN FDMS5352

Description de produit

Circuits intégrés de transistor FDMS5352 IC Mosfet N-Ch 60v 13.6a/49a 8pqfn

 

Canal N 60 V 13,6 A (Ta), 49 A (Tc) 2,5 W (Ta), 104 W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)

 

Spécifications de FDMS5352

 

TAPER DESCRIPTION
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Transistors
FET, MOSFET
FET simples, MOSFET
Fabricant onsemi
Série PowerTrench®
Emballer Bande et bobine (TR)
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
État du produit Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss) 60V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6,7 mOhms à 13,6 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 131 nC à 10 V
Vg (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6940 pF à 30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (maximale) 2,5 W (Ta), 104 W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-PQFN (5x6)
Paquet/caisse 8-PowerTDFN
Numéro de produit de base FDMS53

 

Les caractéristiques deFDMS5352

 

• Max rbs(on)=6.7mΩat Vcs=10V,lb=13.6A

• Max fbs(on)=8.2mΩat VGs=4.5V,lb=12.3A

• Advanced Package et combinaison de silicium pour une faible ros(on)

• Conception de boîtier robuste MSL1

• Testé à 100 % par l'UIL

• Conforme RoHS

 

 

APPLICATIONSdeFDMS5352

 
• Conversion CC-CC
 

Classifications environnementales et d'exportation deFDMS5352

 

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut RoHS Conforme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Illimité)
Statut REACH REACH non affecté
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

8PQFN FDMS5352 Transister IC Mosfet N-Ch 60V 13.6A/49A 0
 

 

 



 

 

 

 

 

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