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CY62157ELL-45ZSXIT Puce de capteur de température Ic Sram 8mbit Parallèle 44tsop Ii
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | CY62157ELL-45ZSXIT |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T, L/C |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Statut de produit: | Actif | Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM | Technologie: | SRAM - Asynchrone |
| Capacité de la mémoire: | 8Mbit | Organisation de mémoire: | 512K X 16 |
| Interface de mémoire: | Parallèle | Temps de cycle d'écriture - mot, page: | 45ns |
Description de produit
CY62157ELL-45ZSXIT Puce de capteur de température Ic Sram 8mbit Parallèle 44tsop Ii
SRAM - Circuit intégré de mémoire asynchrone 8 Mbit parallèle 45 ns 44-TSOP II
Spécifications de CY62157ELL-45ZSXIT
| TAPER | DESCRIPTION |
| Catégorie | Circuits intégrés (CI) |
| Mémoire | |
| Mémoire | |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Série | MoBL® |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | Actif |
| Type de mémoire | Volatil |
| Formatage de la mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille mémoire | 8Mbit |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Temps de cycle d'écriture - mot, page | 45ns |
| Temps d'accès | 45ns |
| Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Montage en surface |
| Paquet/caisse | 44-TSOP (0,400 po, 10,16 mm de largeur) |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 44-TSOP II |
| Numéro de produit de base | CY62157 |
Les caractéristiques deCY62157ELL-45ZSXIT
■ Très haut débit : 45 ns
- Industriel : –40 °C à +85 °C
- Automobile-E : –40 °C à +125 °C
■ Large plage de tension : 4,5 V–5,5 V
■ Consommation en veille ultra faible
- Courant de veille typique : 2 A
- Courant de veille maximum : 8 A (Industriel)
■ Puissance active ultra faible
- Courant actif typique : 1,8 mA à f = 1 MHz
■ Consommation en veille ultra faible
■ Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités CE1, CE2 et OE
■ Mise hors tension automatique lorsqu'elle est désélectionnée
■ CMOS pour une vitesse et une puissance optimales
■ Disponible en boîtier TSOP II 44 broches sans plomb et VFBGA 48 billes
Demandes deCY62157ELL-45ZSXIT
Le CY62157E est une RAM statique CMOS hautes performances organisée en 512K mots sur 16 bits.Cet appareil présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible.Ceci est idéal pour fournir More Battery Life (MoBL®) dans les applications portables.L'appareil dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsque les adresses ne basculent pas.Placez l'appareil en mode veille lorsqu'il est désélectionné (CE1 HIGH ou CE2 LOW ou BHE et BLE sont HIGH).Les broches d'entrée ou de sortie (E/S0 à E/S15) sont placées dans un état d'impédance élevée lorsque :
■ Désélectionné (CE1HIGH ou CE2 LOW)
■ Les sorties sont désactivées (OE HIGH)
■ L'activation de l'octet haut et l'activation de l'octet bas sont désactivées (BHE, BLE HIGH)
■ L'opération d'écriture est active (CE1 LOW, CE2 HIGH et WE LOW)
Classifications environnementales et d'exportation deCY62157ELL-45ZSXIT
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
Produit Tag:
TMS320F28377DPTPS
Puce de capteur de température
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