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Puce de capteur de température FM25H20-DG Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | FM25H20-DG |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T, L/C |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Paquet: | Tube | Statut de produit: | Obsolète |
|---|---|---|---|
| Type de mémoire: | Non-volatile | Format de mémoire: | FRAM |
| Technologie: | FRAM (RAM ferroélectrique) | Capacité de la mémoire: | 2Mbit |
| Organisation de mémoire: | 256K X 8 | Interface de mémoire: | SPI |
Description de produit
Puce de capteur de température FM25H20-DG Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
FRAM (RAM ferroélectrique) Mémoire IC 2Mbit SPI 40 MHz 8-DFN (5x6)
Spécifications de FM25H20-DG
| TAPER | DESCRIPTION |
| Catégorie | Circuits intégrés (CI) |
| Mémoire | |
| Mémoire | |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Série | F-RAM™ |
| Emballer | Tube |
| État du produit | Obsolète |
| Type de mémoire | Non volatile |
| Formatage de la mémoire | FRAME |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille mémoire | 2Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 8 |
| Interface mémoire | IPS |
| Fréquence d'horloge | 40 MHz |
| Temps de cycle d'écriture - mot, page | - |
| Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Montage en surface |
| Paquet/caisse | Coussin exposé 8-WDFN |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
| Numéro de produit de base | FM25H20 |
Les caractéristiques deFM25H20-DG
■ Mémoire vive ferroélectrique 2 Mbits (F-RAM) logiquementorganisé en 256 K × 8
- Lecture/écriture haute endurance de 100 billions (1014)
- 151 ans de conservation des données (Voir le Data Retentionettableau d'endurance)
- Écritures NoDelay™
- Procédé ferroélectrique avancé à haute fiabilité
■ Interface périphérique série très rapide (SPI)
- Fréquence jusqu'à 40 MHz
-Remplacement matériel direct pour flash série etEEPROM
-Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
■ Schéma de protection en écriture sophistiqué
-Protection matérielle à l'aide de Write Protect (WP)broche
-Protection du logiciel à l'aide de Write Disableinstruction
-Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 outableau entier
■ Faible consommation d'énergie
-Courant actif de 1 mA à 1 MHz
-80n / A(typique) courant de veille
-3n / Acourant en mode veille
■ Fonctionnement basse tension : VDD = 2,7 V à 3,6 V
■ Température industrielle –40 C à +85 C
■ Forfaits
-Circuit intégré à petit contour (SOIC) à 8 brochesemballer
-Boîtier mince double plat sans fils (TDFN) à 8 broches
■ Restriction des substances dangereuses (RoHS)conforme
Demandes deFM25H20-DG
Le FM25H20 est une mémoire non volatile de 2 Mbit utilisant unprocédé ferroélectrique avancé.Un accès aléatoire ferroélectriquela mémoire ou la F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écrituressemblable à une RAM.Il offre une conservation fiable des données pendant 151 anstout en éliminant les complexités, les frais généraux et au niveau du systèmeproblèmes de fiabilité causés par le flash série, l'EEPROM et d'autresmémoires non volatiles.
Classifications environnementales et d'exportation deFM25H20-DG
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Illimité) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
Produit Tag:
TMS320F28377DPTPS
Puce de capteur de température
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