• Puce 650V 55A 200W de F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT IC
Puce 650V 55A 200W de F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT IC

Puce 650V 55A 200W de F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT IC

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: F450R07W1H3B11ABOMA1

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiable
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100 000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 650 V Actuel - collecteur (IC) (maximum): 55 A
Puissance - maximum: 200 W Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: 1.85V @ 15V, 25A
Actuel - coupure de collecteur (maximum): 50µA Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: 3,25 N-F @ 25 V
Température de fonctionnement: -40°C | 150°C (TJ) Type d'IGBT: Arrêt de champ de tranchée
Mettre en évidence:

F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT

,

puce de 650V 55A IC

,

puce de 55A 200W IC

Description de produit

Puce 650 V 55 A 200 W de circuit intégré de F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT
 
Module de bâti de châssis de l'inverseur 650 V 55 A 200 W de pont d'arrêt de champ de fossé de module d'IGBT plein
 
Caractéristiques de F450R07W1H3B11ABOMA1

 

TYPE DESCRIPTION
Catégorie Produits semiconducteurs discrets
Transistors
IGBTs
Modules d'IGBT
Mfr Infineon Technologies
Série EasyPACK™
Paquet Plateau
Statut de produit Actif
Type d'IGBT Arrêt de champ de fossé
Configuration Plein inverseur de pont
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 650 V
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 55 A
Puissance - maximum 200 W
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC 1.85V @ 15V, 25A
Actuel - coupure de collecteur (maximum) µA 50
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3,25 N-F @ 25 V
Entrée Norme
Thermistance de NTC Oui
Température de fonctionnement -40°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti de châssis
Paquet/cas Module
Paquet de dispositif de fournisseur Module
Nombre bas de produit F450R07

 
Caractéristiques de F450R07W1H3B11ABOMA1

 

• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• HighSpeedIGBTH3
• Lowinductivedesign
• LowSwitchingLosses
• LowVCEsat
• 2.5kVAC1minInsulation
• HighCreepageandClearanceDistances
• PressFITContactTechnology
• RoHScompliant
• Support rocailleux dû aux brides de montage intégrées

 


Applications de F450R07W1H3B11ABOMA1
 
• AutomotiveApplications
• HighFrequencySwitchingApplication
• DC/DCconverter
• AuxiliaryInverters
• HybridElectricalVehicles (H) EV
• InductiveHeatingandWelding
 
Classifications environnementales et d'exportation de F450R07W1H3B11ABOMA1

 

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut de RoHS ROHS3 conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) 1 (illimité)
Statut de PORTÉE ATTEIGNEZ inchangé
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
Puce 650V 55A 200W de F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT IC 0

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à Puce 650V 55A 200W de F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT IC pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.